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Isoliermaterialformel und Produktionsprozess

Enlarged font  Narrow font Release date:2021-01-09  Browse number:2821
Note: Auf unter 50 ° C abkühlen lassen, Härter hinzufügen, die Temperatur nicht über 50 ° C halten, Vakuumgrad -0,1 MPa entgasen, Mischzeit nicht mehr als 30 Minuten, dann in den Gießprozess eintreten.


A. Niederspannungsisolationsmaterial
1.1 Formel
Epoxidharz E-44 100
Verdünnungsmittel Dibromphenylglycidylether 20
Flammhemmendes Antimontrioxid 10
Aktives Silikapulver 400 mesh 200
Härter 593 25
Diethylentriamin 3
1.2 Produktionsprozess
1.2.1 Silikonpulver auf einen Feuchtigkeitsgehalt unter 0,2% trocknen
1.2.2 Epoxidharz, Verdünner, Flammschutzmittel und Siliziumpulver in der folgenden Reihenfolge in den Reaktor geben
1.2.3 Erhöhen Sie die Temperatur auf 100 ° C.
1.2.4 Auf unter 50 ° C abkühlen lassen, Härter hinzufügen, die Temperatur nicht über 50 ° C halten, Vakuumgrad -0,1 MPa entgasen, Mischzeit nicht mehr als 30 Minuten, dann in den Gießprozess eintreten.


B. Hochspannungs- und Niederspannungsisolationsmaterialien
2.1 Formulierung
Epoxidharz E-44 100
Verdünnungsmittel Dibromphenylglycidylether 20
Flammhemmendes Antimontrioxid 10
Aktives Silikapulver 400 mesh 300
Härter S101 95
Beschleuniger DMP-30 1.5
2.2 Produktionsprozess
2.2.1 Silikonpulver auf einen Feuchtigkeitsgehalt unter 0,2% trocknen
2.2.2 Erstellen Sie eine Zweikomponente in der folgenden Reihenfolge
Eine Komponente Epoxidharz, Beschleuniger, Flammschutzmittel, Siliziumpulver 200
B-Komponenten-Härter, Verdünner, Siliziumpulver 100
2.2.3 Die A-Komponente wird auf 80-100 ° C erhitzt und die Mischung 30 Minuten lang unter einem Vakuum von -0,1 MPa bis zur Gleichmäßigkeit entgast
2.2.4 Die Temperatur der Komponente B wird auf 50 ° C erhöht, und die Mischung wird 30 Minuten lang unter einem Vakuum von -0,1 MPa bis zur Gleichmäßigkeit entgast
2.2.5 Abkühlen auf unter 50 ° C, Komponente A zu Komponente B hinzufügen, Temperatur nicht über 50 ° C halten, Vakuumgrad -0,1 MPa entgasen, Mischzeit 30 Minuten, Sie können mit dem Gießen beginnen.
 
 
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