A. Madalpinge isolatsioonimaterjal
1.1 Valem
Epoksüvaik E-44 100
Lahjendi dibromofenüülglükidüüleeter 20
Leegiaeglustav antimonitrioksiid 10
Aktiivne ränidioksiidipulber 400 võrgusilma 200
Kõvendav aine 593 25
Dietüleentiamiin
1.2 Tootmisprotsess
1.2.1 Kuiv ränipulber niiskusesisalduseni alla 0,2%
1.2.2 Lisage reaktorisse epoksüvaik, vedeldaja, leegiaeglusteid ja ränipulber järgmises järjekorras
1.2.3 Tõstke temperatuur 100 ℃-ni, degaseerige segu vaakumis alla –0,1 MPa 30 minuti jooksul ühtlaseks
1.2.4 Jahutage temperatuurini alla 50 ° C, lisage kõvendit, hoidke temperatuuri mitte üle 50 ° C, degasi vaakum kraadi -0,1 MPa, segamisaeg mitte üle 30 min, seejärel sisestage valamisprotsess.
B. Kõrg- ja madalpinge isolatsioonimaterjalid
2.1 Sõnastus
Epoksüvaik E-44 100
Lahjendi dibromofenüülglükidüüleeter 20
Leegiaeglustav antimonitrioksiid 10
Aktiivne ränidioksiidipulber 400 võrgusilma 300
Kõvendav aine S101 95
Kiirendi DMP-30 1.5
2.2 Tootmisprotsess
2.2.1 Kuiv ränipulber niiskusesisalduseni alla 0,2%
2.2.2 Tehke kahekomponentne järgmises järjekorras
Komponentne epoksüvaik, kiirendi, leegiaeglusteid, ränipulber 200
B-komponendi kõvendaja, vedeldaja, ränipulber 100
2.2.3 A-komponent kuumutatakse temperatuurini 80–100 ℃ ja segu degaseeritakse -0,1 Mpa vaakumis 30 minutit ühtlaseks
2.2.4 Komponendi B temperatuur tõstetakse 50 ° C-ni ja segu degaseeritakse -0,1Mpa vaakumis 30 minutit ühtlaseks
2.2.5 Jahutage temperatuurini alla 50 ℃, lisage komponent B komponentile, hoidke temperatuuri mitte üle 50 ℃, degasi vaakum kraadi -0,1 MPa, segamisaeg 30 minutit, võite sisestada valamise.
