A. 저전압 절연 재료
1.1 공식
에폭시 수지 E-44100
희석제 디 브로 모 페닐 글리시 딜 에테르 20
난연성 삼산화 안티몬 10
활성 실리카 분말 400 메쉬 200
경화제 593 25
디 에틸렌 트리 아민 3
1.2 생산 과정
1.2.1 수분 함량이 0.2 % 미만인 실리콘 분말 건조
1.2.2 에폭시 수지, 신나, 난연제, 실리콘 분말을 반응기에 다음 순서로 첨가합니다.
1.2.3 온도를 100 ℃로 올리고 -0.1Mpa 진공 하에서 30 분간 균일하게 탈기합니다.
1.2.4 50 ° C 이하로 냉각하고, 경화제를 첨가하고, 온도를 50 ° C 이하로 유지하고, 탈기 진공도 -0.1Mpa, 혼합 시간을 30 분 이하로 유지 한 다음 주조 공정에 들어갑니다.
B. 고전압 및 저전압 절연 재료
2.1 제형
에폭시 수지 E-44100
희석제 디 브로 모 페닐 글리시 딜 에테르 20
난연성 삼산화 안티몬 10
활성 실리카 분말 400 메쉬 300
경화제 S101 95
가속기 DMP-30 1.5
2.2 생산 과정
2.2.1 수분 함량이 0.2 % 미만인 실리콘 분말 건조
2.2.2 다음 순서로 두 개의 구성 요소를 만듭니다.
성분 에폭시 수지, 촉진제, 난연제, 실리콘 분말 200
B 성분 경화제, 신나, 실리콘 분말 100
2.2.3 A 성분을 80-100 ℃로 가열하고 혼합물을 -0.1Mpa 진공에서 30 분 동안 탈기하여 균일하게합니다.
2.2.4 성분 B의 온도를 50 ℃로 올리고 혼합물을 -0.1Mpa 진공 하에서 30 분간 균일하게 탈기합니다.
2.2.5 50 ℃ 이하로 식히고, 성분 A를 성분 B에 첨가하고, 온도를 50 ℃ 이하로 유지하고, 탈기 진공도 -0.1Mpa, 혼합 시간 30 분, 주입에 들어갈 수 있습니다.
