صيغة مادة العزل وعملية الإنتاج

مادة عزل الجهد المنخفض
1.1 الصيغة
راتنجات الايبوكسي E-44100
مخفف ديبروموفينيل جلايسيديل الأثير 20
ثالث أكسيد الأنتيمون مثبط للهب 10
مسحوق السيليكا النشط 400 شبكة 200
عامل المعالجة 59325
ديثيلينتريامين 3
1.2 عملية الإنتاج
1.2.1 مسحوق السيليكون الجاف إلى محتوى رطوبة أقل من 0.2٪
1.2.2 أضف راتنجات الايبوكسي ، والمخفف ، ومثبط اللهب ، ومسحوق السيليكون إلى المفاعل بالترتيب التالي
1.2.3 رفع درجة الحرارة إلى 100 درجة مئوية ، وإزالة الغاز من الخليط تحت فراغ -0.1 ميجا باسكال لمدة 30 دقيقة إلى التوحيد
1.2.4
يبرد إلى أقل من 50 درجة مئوية ، ويضاف عامل المعالجة ، ويحافظ على درجة الحرارة لا تزيد عن 50 درجة مئوية ، ودرجة فراغ ديغاس -0.1 ميجا باسكال ، ووقت الخلط لا يزيد عن 30 دقيقة ، ثم يدخل في عملية الصب.

 
ب- مواد عزل الجهد العالي والجهد المنخفض
2.1 التركيب
راتنجات الايبوكسي E-44100
مخفف ديبروموفينيل جلايسيديل الأثير 20
ثالث أكسيد الأنتيمون مثبط للهب 10
مسحوق السيليكا النشط 400 شبكة 300
عامل علاج S101 95
المسرع DMP-30 1.5
2.2 عملية الإنتاج
2.2.1 مسحوق السيليكون الجاف إلى محتوى رطوبة أقل من 0.2٪
2.2.2 قم بعمل مكون من مكونين بالترتيب التالي
مكون من راتنجات الايبوكسي ، المعجل ، مثبطات اللهب ، مسحوق السيليكون 200
عامل معالجة مكون B ، مخفف ، مسحوق سيليكون 100
2.2.3 يتم تسخين المكون A إلى 80-100 ℃ ، ويتم تفريغ الخليط تحت فراغ -0.1Mpa لمدة 30 دقيقة إلى التوحيد
2.2.4 يتم رفع درجة حرارة المكون B إلى 50 ℃ ، ويتم تفريغ الخليط تحت فراغ -0.1Mpa لمدة 30 دقيقة إلى التوحيد
2.2.5
بارد إلى أقل من 50 درجة مئوية ، أضف المكون أ إلى المكون ب ، وحافظ على درجة الحرارة لا تزيد عن 50 درجة مئوية ، ودرجة فراغ ديغاس -0.1 ميجا باسكال ، ووقت الخلط 30 دقيقة ، يمكنك الدخول في الصب.