A. Zemsprieguma izolācijas materiāls
1.1 Formula
Epoksīdsveķi E-44 100
Atšķaidītājs Dibromfenilglicidilēteris20
Ugunsdrošs antimona trioksīds 10
Aktīvais silīcija dioksīda pulveris 400 acs 200
Ārstēšanas līdzeklis 593 25
Dietilēntriamīns 3
1.2 Ražošanas process
1.2.1. Sauss silīcija pulveris ar mitruma saturu zem 0,2%
1.2.2. Pievienojiet reaktoram epoksīdsveķus, atšķaidītājus, liesmas slāpētājus un silīcija pulveri šādā secībā:
1.2.3. Paaugstiniet temperatūru līdz 100 ℃, degazējiet maisījumu zem -0,1 MPa vakuuma līdz 30 minūtēm
1.2.4. Atdzesē līdz zemākai par 50 ° C, pievieno sacietēšanas līdzekli, tur temperatūru ne vairāk kā 50 ° C, degas vakuuma grādu -0,1 MPa, sajaukšanas laiks nepārsniedz 30 minūtes, pēc tam ievadiet liešanas procesu.
B. Augstsprieguma un zemsprieguma izolācijas materiāli
2.1. Formulējums
Epoksīdsveķi E-44 100
Atšķaidītājs Dibromfenilglicidilēteris20
Ugunsdrošs antimona trioksīds 10
Aktīvais silīcija dioksīda pulveris 400 acs 300
Ārstēšanas līdzeklis S101 95
Paātrinātājs DMP-30 1.5
2.2 Ražošanas process
2.2.1. Sauss silīcija pulveris ar mitruma saturu zem 0,2%
2.2.2 Izveidojiet divkomponentu šādā secībā
Komponents epoksīda sveķi, akselerators, liesmas slāpētājs, silīcija pulveris 200
B komponenta sacietēšanas līdzeklis, atšķaidītājs, silīcija pulveris 100
2.2.3. A komponents tiek uzkarsēts līdz 80–100 ℃, un maisījums tiek viendabīgs līdz -0,1 MPa vakuumā līdz 30 min.
2.2.4. B komponenta temperatūra tiek paaugstināta līdz 50 ℃, un maisījums tiek viendabīgs līdz -0,1 MPa vakuumā līdz 30 min.
2.2.5 Atdzesē līdz zemākai par 50 ℃, pievienojiet komponentam A komponentu B, uzturiet temperatūru ne vairāk kā 50 ℃, degas vakuuma grādu -0,1 MPa, sajaukšanas laiks 30 minūtes, jūs varat ievadīt ielejot.
