A. Žemos įtampos izoliacinė medžiaga
1.1 Formulė
Epoksidinė derva E-44 100
Skiediklis Dibromfenilglicidilo eteris20
Ugnį sulaikantis stibio trioksidas10
Aktyvūs silicio dioksido milteliai 400 akių 200
Kietinimo priemonė 593 25
3. dietiletriaminas
1.2 Gamybos procesas
1.2.1. Sausieji silicio milteliai, kurių drėgnumas yra mažesnis nei 0,2%
1.2.2 Į reaktorių įpilkite epoksidinės dervos, skiediklio, antipireno ir silicio miltelių tokia tvarka
1.2.3 Pakelkite temperatūrą iki 100 ℃, mišinį degazuokite iki -0,1 MPa vakuumo 30 minučių iki tolygumo
1.2.4 Atvėsinkite iki žemesnės nei 50 ° C temperatūros, įpilkite kietinimo priemonės, palaikykite temperatūrą ne daugiau kaip 50 ° C, degalų vakuumo laipsnį -0,1 MPa, maišymo laiką ne ilgiau kaip 30 minučių, tada pradėkite liejimo procesą.
B. Aukštos ir žemos įtampos izoliacinės medžiagos
2.1 Formulavimas
Epoksidinė derva E-44 100
Skiediklis Dibromfenilglicidilo eteris20
Ugnį sulaikantis stibio trioksidas10
Aktyvūs silicio dioksido milteliai 400 akių 300
Kietinimo priemonė S101 95
Akseleratorius DMP-30 1.5
2.2 Gamybos procesas
2.2.1. Sausieji silicio milteliai, kurių drėgnumas yra mažesnis nei 0,2%
2.2.2 Sudarykite dvikomponentę tokia tvarka
Komponentinė epoksidinė derva, greitintuvas, antipirenas, silicio milteliai 200
B komponento kietiklis, skiediklis, silicio milteliai 100
2.2.3. A komponentas pašildomas iki 80–100 ℃, o mišinys iki 0–1,1 MPa vakuumo pašalinamas iki 30 minučių.
2.2.4 B komponento temperatūra pakeliama iki 50 ℃ ir mišinys 30 minučių iki vientisumo deguazuojamas esant -0,1 MPa vakuumui.
2.2.5 Atvėsinkite iki žemesnės nei 50 ℃ temperatūros, pridėkite A komponentą prie B komponento, palaikykite temperatūrą ne aukštesnę kaip 50 ℃, degalų vakuumo laipsnį -0,1 MPa, maišymo laiką 30 minučių, galite įvesti pilant.
