Մեկուսիչ նյութի բանաձեւը և արտադրական գործընթացը

A. voltageածր լարման մեկուսիչ նյութ
1.1 Բանաձև
Էպօքսիդային խեժ E-44 100
Diluent Dibromophenyl glycidyl եթեր 20
10
Ակտիվ սիլիցիումի փոշի 400 ցանց 200
Բուժիչ միջոց 593 25
Diethylenetriamine 3
1.2 Արտադրության գործընթաց
1.2.1 Չոր սիլիցիումի փոշի `0.2% -ից ցածր խոնավության պարունակության մեջ
1.2.2. Ռեակտորին ավելացնել էպոքսիդային խեժ, նոսրացուցիչ, բոցավառող և սիլիցիումի փոշի հետևյալ կարգով.
1.2.3. Բարձրացրեք ջերմաստիճանը 100 ℃, խառնուրդը յուղազերծեք -0.1 ՄՊա վակուումի ներքո 30 րոպեից մինչև միատարրություն
1.2.4 Սառեցրեք մինչև 50 ° C- ից ցածր, ավելացրեք բուժիչ միջոց, պահեք ջերմաստիճանը ոչ ավելի, քան 50 ° C, degas վակուումային աստիճան -0.1Mpa, խառնուրդի ժամանակը ոչ ավելի, քան 30 րոպե, ապա անցեք ձուլման գործընթացին:

 
B. Բարձր լարման և ցածր լարման մեկուսիչ նյութեր
2.1 Ձևակերպում
Էպօքսիդային խեժ E-44 100
Diluent Dibromophenyl glycidyl եթեր 20
Ֆլեյմի դանդաղեցուցիչ անտիմոնի տրիօքսիդ 10
Ակտիվ սիլիցիումի փոշի 400 ցանց 300
Բուժիչ միջոց S101 95
Արագացուցիչ DMP-30 1.5
2.2 Արտադրության գործընթաց
2.2.1 Չոր սիլիցիումի փոշի `0.2% -ից ցածր խոնավության պարունակությանը
2.2.2 Կազմեք երկու բաղադրիչ `հետևյալ հերթականությամբ
Բաղադրիչ էպոքսիդային խեժ, արագացուցիչ, բոցավառող, սիլիցիումի փոշի 200
B բաղադրիչի բուժիչ միջոց, ավելի նոսր, սիլիցիումի փոշի 100
2.2.3 A բաղադրիչը ջեռուցվում է մինչև 80-100 ℃, և խառնուրդը ապազազերծվում է -0.1 ՄՊա վակուումի ներքո 30 րոպեից մինչև միատարրություն
2.2.4 B բաղադրիչի ջերմաստիճանը բարձրանում է մինչև 50, և խառնուրդը գազազերծվում է -0.1 ՄՊա վակուումի ներքո 30 րոպեից մինչև միատարրություն
2.2.5 Սառեցրեք մինչև 50 below -ից ցածր, B բաղադրիչին ավելացրեք A բաղադրիչ, պահեք ջերմաստիճանը ոչ ավելի, քան 50 ℃, degas վակուումային աստիճան -0.1 Mpa, խառնման ժամանակը 30 րոպե, կարող եք լցնել: